功率器件研发工程师（GAN氮化镓)
2.2-3.5万元/月
投递简历
江苏-苏州-吴中区
3-5年
2025-12-02 14:39:51 更新
被浏览：650 次
东莞奥弗人力资源有限公司
最近在线时间：2025-12-02 14:39:51
电话：159********
地址：广东省东莞市南城街道体育路南城段2号1栋2单元603室
职位描述
岗位职责
1、器件设计：器件仿真、layout设计、spice建模；
2、新技术/器件结构研发；
3、工艺制程整合，关键工艺步骤设计和定义；
4、跟踪分析/解决产品开发及量产过程中异常问题，提升晶圆/封装良率；
任职要求:
1、硕士及以上学历，10年以上工作经验；
2、扎实的半导体物理、器件物理及工艺知识；
3、2年以上GaN功率器件设计和制程开发的工作经验，有量产经验优先，***有GaND-mode的经验；
4、具备使用TCAD/layout工具的能力；
求职提醒：求职过程请勿缴纳费用，谨防诈骗！若信息不实请举报。
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